RB511VM-30FHTE-17
Nur als Referenz
| Teilenummer | RB511VM-30FHTE-17 |
| PNEDA Teilenummer | RB511VM-30FHTE-17 |
| Beschreibung | RB511VM-30FH IS SUPER LOW V |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RB511VM-30FHTE-17 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RB511VM-30FHTE-17 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RB511VM-30FHTE-17 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 10mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 7µA @ 10V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-90, SOD-323F |
| Lieferantengerätepaket | UMD2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1400V Current - Average Rectified (Io) 391A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.8V @ 600A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 1400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Torex Semiconductor Ltd Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 130ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/578 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 20ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 75V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 3-UB (3.09x2.45) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 12A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 12A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 90µA @ 170V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 650V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
