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RB521ZS-30T2R

RB521ZS-30T2R

Nur als Referenz

Teilenummer RB521ZS-30T2R
PNEDA Teilenummer RB521ZS-30T2R
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 100MA GMD2
Hersteller Rohm Semiconductor
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RB521ZS-30T2R Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRB521ZS-30T2R
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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RB521ZS-30T2R Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If370mV @ 10mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr7µA @ 10V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall0201 (0603 Metric)
LieferantengerätepaketGMD2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VSSAF512-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®, SlimSMA™

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

360pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221AC, SMA Flat Leads

Lieferantengerätepaket

DO-221AC (SlimSMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

NSVRB751S40T5G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

370mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

S5KC-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

AIDW40S65C5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

40A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 40A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

120µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

1138pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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