RCJ081N20TL
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| Teilenummer | RCJ081N20TL |
| PNEDA Teilenummer | RCJ081N20TL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 8A LPT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RCJ081N20TL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RCJ081N20TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RCJ081N20TL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 770mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS (SC-83) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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