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RD38F1020C0ZBL0SB93

RD38F1020C0ZBL0SB93

Nur als Referenz

Teilenummer RD38F1020C0ZBL0SB93
PNEDA Teilenummer RD38F1020C0ZBL0SB93
Beschreibung IC FLASH RAM 32MIT PARAL 66SCSP
Hersteller Intel
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RD38F1020C0ZBL0SB93 Ressourcen

Marke Intel
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRD38F1020C0ZBL0SB93
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RD38F1020C0ZBL0SB93, RD38F1020C0ZBL0SB93 Datenblatt (Total Pages: 75, Größe: 1.001,8 KB)
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RD38F1020C0ZBL0SB93 Technische Daten

HerstellerIntel
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH, RAM
TechnologieFLASH, SRAM
Speichergröße32Mbit Flash, 8Mbit RAM
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.3V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-LFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket66-SCSP (8x14)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

8Gb (128M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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