RGC80TSX8RGC11
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| Teilenummer | RGC80TSX8RGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGC80TSX8RGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGC80TSX8RGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGC80TSX8RGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGC80TSX8RGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1800V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 5V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 535W |
| Schaltenergie | 1.85mJ (on), 1.6mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 468nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 80ns/565ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 51A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 204A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A Leistung - max 200W Schaltenergie 190µJ (on), 1.06mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/110ns Testbedingung 720V, 28A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
