RGT50NS65DGTL
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| Teilenummer | RGT50NS65DGTL |
| PNEDA Teilenummer | RGT50NS65DGTL |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT50NS65DGTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT50NS65DGTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT50NS65DGTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 194W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/88ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | LPDS |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/845ns Testbedingung 960V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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