RGT50TM65DGC9
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| Teilenummer | RGT50TM65DGC9 |
| PNEDA Teilenummer | RGT50TM65DGC9 |
| Beschreibung | FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.236 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT50TM65DGC9 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT50TM65DGC9 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT50TM65DGC9 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 21A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 47W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/88ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220NFM |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 27A Leistung - max 200W Schaltenergie 990µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/140ns Testbedingung 480V, 27A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 150µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/150ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 417W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/110ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
