RGTH60TK65DGC11
Nur als Referenz
| Teilenummer | RGTH60TK65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTH60TK65DGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RGTH60TK65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | RGTH60TK65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- RGTH60TK65DGC11 Datasheet
- where to find RGTH60TK65DGC11
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RGTH60TK65DGC11
- RGTH60TK65DGC11 PDF Datasheet
- RGTH60TK65DGC11 Stock
- RGTH60TK65DGC11 Pinout
- Datasheet RGTH60TK65DGC11
- RGTH60TK65DGC11 Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RGTH60TK65DGC11 Price
- RGTH60TK65DGC11 Distributor
RGTH60TK65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 28A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 61W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 58nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFM |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/111ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 231ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 375W Schaltenergie 520µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/190ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Leistung - max 625W Schaltenergie 900µJ (on), 904µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/102ns Testbedingung 600V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max 220W Schaltenergie 740µJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/330ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
