RGTV60TS65DGC11
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| Teilenummer | RGTV60TS65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTV60TS65DGC11 |
| Beschreibung | 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTV60TS65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTV60TS65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTV60TS65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 194W |
| Schaltenergie | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 33ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 223W Schaltenergie 660µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 36nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/104ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
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