RJ1G12BGNTLL
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| Teilenummer | RJ1G12BGNTLL |
| PNEDA Teilenummer | RJ1G12BGNTLL |
| Beschreibung | RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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RJ1G12BGNTLL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJ1G12BGNTLL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RJ1G12BGNTLL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.86mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12500pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 178W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTL |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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