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RJH1BF7RDPQ-80#T2

RJH1BF7RDPQ-80#T2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH1BF7RDPQ-80#T2
PNEDA Teilenummer RJH1BF7RDPQ-80-T2
Beschreibung IGBT 1100V 60A 250W TO247
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $53,8136
100 ---------- $51,2911
250 ---------- $48,7686
500 ---------- $46,2461
750 ---------- $44,1440
1.000 ---------- $42,0419
Auf Lager 6.150
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJH1BF7RDPQ-80#T2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH1BF7RDPQ-80#T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH1BF7RDPQ-80#T2, RJH1BF7RDPQ-80#T2 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 100,61 KB)
PDFRJH1BF7RDPQ-80#T2 Datenblatt Cover
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  • RJH1BF7RDPQ-80#T2 Distributor

RJH1BF7RDPQ-80#T2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1100V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 60A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

937W

Schaltenergie

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/230ns

Testbedingung

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV (IXYT)

IRG4BC30S-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

APT40GP60SG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 352µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

D3 [S]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IXEH40N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

6.1mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 40A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Kürzlich verkauft

UES1302

UES1302

Microsemi

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

AT45DB041B-SI

AT45DB041B-SI

Microchip Technology

IC FLASH 4M SPI 20MHZ 8SOIC

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

Semtech

TVS DIODE 5V 20V 8SO

4610X-101-103LF

4610X-101-103LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 10K OHM 10SIP

AOD413

AOD413

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 40V 24A TO252

1SS355TE-17

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

MBR140SFT1

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

BA6219B

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IC MOTOR DRIVER 8V-18V 10HSIP

74F00SC

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IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

AD8226ARZ-R7

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IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC