RJH60D3DPP-M0#T2
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJH60D3DPP-M0#T2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | RJH60D3DPP-M0-T2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 35A 30W TO220FL | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 2.577 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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RJH60D3DPP-M0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH60D3DPP-M0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH60D3DPP-M0#T2, RJH60D3DPP-M0#T2 Datenblatt
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RJH60D3DPP-M0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 17A |
| Leistung - max | 40W |
| Schaltenergie | 200µJ (on), 210µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 37nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/80ns |
| Testbedingung | 300V, 17A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FL |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 340.9W Schaltenergie 450µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/170ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
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