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RJH60D6DPK-00#T0

RJH60D6DPK-00#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D6DPK-00#T0
PNEDA Teilenummer RJH60D6DPK-00-T0
Beschreibung IGBT 600V 80A 260W TO3P
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D6DPK-00#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D6DPK-00#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60D6DPK-00#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
Leistung - max260W
Schaltenergie850µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge104nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/160ns
Testbedingung300V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

129A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

875µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/82ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGWT60V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

230µJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/105ns

Testbedingung

200V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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