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RJH60D7BDPQ-E0#T2

RJH60D7BDPQ-E0#T2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D7BDPQ-E0#T2
PNEDA Teilenummer RJH60D7BDPQ-E0-T2
Beschreibung IGBT 600V 90A 300W TO-247
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 6.246
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RJH60D7BDPQ-E0#T2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D7BDPQ-E0#T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D7BDPQ-E0#T2, RJH60D7BDPQ-E0#T2 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 327,79 KB)
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RJH60D7BDPQ-E0#T2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie700µJ (on), 1.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/180ns
Testbedingung300V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

33µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5ns/53ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/69ns

Testbedingung

400V, 4A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

APT35GN120L2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

94A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Leistung - max

379W

Schaltenergie

2.315mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/300ns

Testbedingung

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/78ns

Testbedingung

450V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/85ns

Testbedingung

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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