RJH65D27BDPQ-A0#T2
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| Teilenummer | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| PNEDA Teilenummer | RJH65D27BDPQ-A0-T2 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH65D27BDPQ-A0#T2, RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datenblatt
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 175nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/165ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247A |
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