RJH65T04BDPMA0#T2F
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJH65T04BDPMA0#T2F |
| PNEDA Teilenummer | RJH65T04BDPMA0-T2F |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 20 - Jul 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJH65T04BDPMA0#T2F Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH65T04BDPMA0#T2F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH65T04BDPMA0#T2F, RJH65T04BDPMA0#T2F Datenblatt
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RJH65T04BDPMA0#T2F Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 65W |
| Schaltenergie | 360µJ (on), 350µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 74nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/115ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SC-94 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
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