Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJK4013DPE-00#J3

RJK4013DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJK4013DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJK4013DPE-00-J3
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 20 - Jun 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJK4013DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJK4013DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RJK4013DPE-00#J3, RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 117,88 KB)
PDFRJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Cover
RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 2 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 3 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 4 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 5 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 6 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 7 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 8 RJK4013DPE-00#J3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJK4013DPE-00#J3 Datasheet
  • where to find RJK4013DPE-00#J3
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJK4013DPE-00#J3
  • RJK4013DPE-00#J3 PDF Datasheet
  • RJK4013DPE-00#J3 Stock

  • RJK4013DPE-00#J3 Pinout
  • Datasheet RJK4013DPE-00#J3
  • RJK4013DPE-00#J3 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJK4013DPE-00#J3 Price
  • RJK4013DPE-00#J3 Distributor

RJK4013DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1450pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)100W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-LDPAK
Paket / FallSC-83

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFH66N20Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

NTMFS4936NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.6A (Ta), 79A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3044pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

920mW (Ta), 43W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

PSMN014-40YS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

702pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

56W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IRFC4368D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

STB45NF06

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

USB2517-JZX-TR

USB2517-JZX-TR

Microchip Technology

IC USB 2.0 7PORT HUB CTLR 64QFN

ATMEGA328P-AU

ATMEGA328P-AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

LPC4330FBD144,551

LPC4330FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT ROMLESS 144LQFP

NTA4153NT1G

NTA4153NT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

BCM59111KMLG

BCM59111KMLG

Broadcom

QUAD IEEE802.3AT PSE CONTROLLER

1SMB5931BT3G

1SMB5931BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 18V 550MW SMB

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

LE75181BBSC

LE75181BBSC

Microchip Technology

IC LINE CARD LCAS 1CH 16SOIC

BR24T128-W

BR24T128-W

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 128K I2C 8-DIP-T

ADUM7641CRQZ

ADUM7641CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

PI5USB2544ZHEX

PI5USB2544ZHEX

Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

PIC18F1230-I/SO

PIC18F1230-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC