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RMLV0816BGSB-4S2#AA0

RMLV0816BGSB-4S2#AA0

Nur als Referenz

Teilenummer RMLV0816BGSB-4S2#AA0
PNEDA Teilenummer RMLV0816BGSB-4S2-AA0
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP
Hersteller Renesas Electronics America
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMLV0816BGSB-4S2#AA0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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RMLV0816BGSB-4S2#AA0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Alliance Memory, Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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