RS1G300GNTB
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| Teilenummer | RS1G300GNTB |
| PNEDA Teilenummer | RS1G300GNTB |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RS1G300GNTB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RS1G300GNTB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RS1G300GNTB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4230pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSOP |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251AA Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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