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RUR020N02TL

RUR020N02TL

Nur als Referenz

Teilenummer RUR020N02TL
PNEDA Teilenummer RUR020N02TL
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
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RUR020N02TL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRUR020N02TL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RUR020N02TL, RUR020N02TL Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 584,99 KB)
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RUR020N02TL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)540mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTSMT3
Paket / FallSC-96

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IPD90P04P4L04ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

176nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-313

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHF18N50C-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2942pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

R6007JND3TL1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

780mOhm @ 3.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 15V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

JAN2N7224U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/592

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

81mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-267AB

Paket / Fall

TO-267AB

FQT1N60CTF-WS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

ADP2147ACBZ-150-R7

ADP2147ACBZ-150-R7

Analog Devices

IC REG BUCK PROG 800MA 6WLCSP

HSMG-C191

HSMG-C191

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

MAX9011EUT+T

MAX9011EUT+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL SOT23-6

SMAJ30CA

SMAJ30CA

Bourns

TVS DIODE 30V 48.4V SMA

PE-64934NL

PE-64934NL

Pulse Electronics Network

XFRMR T1/CEPT/ISDN-PRI 1:1

MAX14757EUE+

MAX14757EUE+

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

SCT30N120

SCT30N120

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

NB2305AI1HDR2G

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ON Semiconductor

IC BUFFER CLOCK 5OUT 3.3V 8-SOIC

0466005.NRHF

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Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

TIP42CTU

TIP42CTU

ON Semiconductor

TRANS PNP 100V 6A TO-220

TS2937CP50 ROG

TS2937CP50 ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

IC REG LINEAR 5V 500MA TO252