RURD660
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| Teilenummer | RURD660 |
| PNEDA Teilenummer | RURD660 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 6A TO251 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RURD660 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RURD660 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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RURD660 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-251-2, IPak |
| Lieferantengerätepaket | TO-251-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 520mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 240A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 610mV @ 240A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 10300pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 HALF-PAK Lieferantengerätepaket HALF-PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 940mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277 (Z3) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
