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S25FL116K0XNFI010

S25FL116K0XNFI010

Nur als Referenz

Teilenummer S25FL116K0XNFI010
PNEDA Teilenummer S25FL116K0XNFI010
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8WSON
Hersteller Cypress Semiconductor
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S25FL116K0XNFI010 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS25FL116K0XNFI010
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
S25FL116K0XNFI010, S25FL116K0XNFI010 Datenblatt (Total Pages: 90, Größe: 3.056,42 KB)
PDFS25FL116K0XMFB041 Datenblatt Cover
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S25FL116K0XNFI010 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieFL1-K
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz108MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WSON (6x8)

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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S26KS256SDGBHA030

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

96ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-VBGA

Lieferantengerätepaket

24-FBGA (6x8)

MT40A256M16LY-062E AAT:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

19ns

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (7.5x13.5)

MTFC128GAOAMEA-WT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Tb (128G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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