S25FS512SDSBHV213
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| Teilenummer | S25FS512SDSBHV213 |
| PNEDA Teilenummer | S25FS512SDSBHV213 |
| Beschreibung | IC FLASH 512M SPI 80MHZ 24BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.402 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FS512SDSBHV213 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FS512SDSBHV213 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FS512SDSBHV213 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FS-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 80MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 2V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 24-BGA (8x6) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 84-PLCC (29.21x29.21) |
