S26KL512SDABHB020
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| Teilenummer | S26KL512SDABHB020 |
| PNEDA Teilenummer | S26KL512SDABHB020 |
| Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S26KL512SDABHB020 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S26KL512SDABHB020 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S26KL512SDABHB020 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 96ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-VBGA |
| Lieferantengerätepaket | 24-FBGA (6x8) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 52-PLCC (19.13x19.13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 32Kb (2K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 68-Flatpack Lieferantengerätepaket 68-FPACK |
