S29GL01GT10DHI023
Nur als Referenz
| Teilenummer | S29GL01GT10DHI023 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL01GT10DHI023 |
| Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.690 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL01GT10DHI023 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL01GT10DHI023 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL01GT10DHI023 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-T |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (9x9) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-LQFP Exposed Pad Lieferantengerätepaket 144-TQFP (20x20) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 Speichergröße 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 149-WFBGA Lieferantengerätepaket 149-WFBGA (8x9.5) |
