S34ML04G104BHI010
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| Teilenummer | S34ML04G104BHI010 |
| PNEDA Teilenummer | S34ML04G104BHI010 |
| Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.398 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 1 - Jun 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S34ML04G104BHI010 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S34ML04G104BHI010 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S34ML04G104BHI010 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | ML-1 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
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Hersteller Microchip Technology Serie SST26 SQI® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1.5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
