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S34ML08G201BHV003

S34ML08G201BHV003

Nur als Referenz

Teilenummer S34ML08G201BHV003
PNEDA Teilenummer S34ML08G201BHV003_33
Beschreibung IC FLASH 8G PARALLEL
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S34ML08G201BHV003 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS34ML08G201BHV003
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S34ML08G201BHV003 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieML-2
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND
Speichergröße8Gb (1G x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall63-VFBGA
Lieferantengerätepaket63-BGA (11x9)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

S25FL132K0XBHV033

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-BGA (6x8)

70T3519S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

MT49H16M18FM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-µBGA (18.5x11)

AT49BV6416CT-70CI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

48-CBGA (7x10)

577578-003-00

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

3314J-1-104E

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Bourns

TRIMMER 100KOHM 0.25W J LEAD TOP

3296W-1-203LF

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Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

744043101

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CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

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CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

TAJA475K016RNJ

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CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1206

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Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 360UH

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Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

MP101301

MP101301

ZF Electronics

SENSOR HALL DIGITAL WIRE LEADS

SD066-24-21-011

SD066-24-21-011

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 660NM TO46