S5MS-E3/57T
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| Teilenummer | S5MS-E3/57T |
| PNEDA Teilenummer | S5MS-E3-57T |
| Beschreibung | DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.616 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S5MS-E3/57T Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S5MS-E3/57T |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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S5MS-E3/57T Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.6A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 2.5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.02V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 21ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.6µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-128 Lieferantengerätepaket SOD128Flat Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AA, DO-27, Axial Lieferantengerätepaket GP20 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 80A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
