SBAT54ALT1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | SBAT54ALT1G |
| PNEDA Teilenummer | SBAT54ALT1G |
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 379.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBAT54ALT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBAT54ALT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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SBAT54ALT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller IXYS Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 310A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.32V @ 600A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 1800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y1-CU Lieferantengerätepaket Y1-CU |
Hersteller Diodes Incorporated Serie SBR® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 860mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 120V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 710mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 60V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 790mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
