SBAT54T1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | SBAT54T1G |
| PNEDA Teilenummer | SBAT54T1G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.970 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBAT54T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBAT54T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SBAT54T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-123 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-123 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 125°C |
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Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 650A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.05V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AB, B-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Current - Average Rectified (Io) 216A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 50A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 60µA @ 1700V Kapazität @ Vr, F. 3193pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 80pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123H Lieferantengerätepaket SOD-123HE Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 32ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 58ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
