SCT3160KLGC11
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| Teilenummer | SCT3160KLGC11 |
| PNEDA Teilenummer | SCT3160KLGC11 |
| Beschreibung | MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT3160KLGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT3160KLGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SCT3160KLGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 398pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 103W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 380µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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