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SD101BWS-TP

SD101BWS-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SD101BWS-TP
PNEDA Teilenummer SD101BWS-TP
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 50V SOD323
Hersteller Micro Commercial Co
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD101BWS-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD101BWS-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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SD101BWS-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 15mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr200nA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.2.1pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-76, SOD-323
LieferantengerätepaketSOD-323
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T1, Axial

Lieferantengerätepaket

T-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SFF30

Semtech

Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3000V

Current - Average Rectified (Io)

360mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

7V @ 175mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 3000V

Kapazität @ Vr, F.

6.5pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CDBJFSC8650-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

560pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

BAS516,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

0.35pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

ESC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

LSIC2SD065A08A

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

Gen2

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

23A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

415pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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