Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SE20DBHM3/I

SE20DBHM3/I

Nur als Referenz

Teilenummer SE20DBHM3/I
PNEDA Teilenummer SE20DBHM3-I
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3.9A TO263AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SE20DBHM3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSE20DBHM3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SE20DBHM3/I, SE20DBHM3/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 112,11 KB)
PDFSE20DJHM3/I Datenblatt Cover
SE20DJHM3/I Datenblatt Seite 2 SE20DJHM3/I Datenblatt Seite 3 SE20DJHM3/I Datenblatt Seite 4 SE20DJHM3/I Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SE20DBHM3/I Datasheet
  • where to find SE20DBHM3/I
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division SE20DBHM3/I
  • SE20DBHM3/I PDF Datasheet
  • SE20DBHM3/I Stock

  • SE20DBHM3/I Pinout
  • Datasheet SE20DBHM3/I
  • SE20DBHM3/I Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • SE20DBHM3/I Price
  • SE20DBHM3/I Distributor

SE20DBHM3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)3.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 20A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.150pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
LieferantengerätepaketTO-263AC (SMPD)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

JANTXV1N6629

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

880V

Current - Average Rectified (Io)

1.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 880V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

BY448GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1650V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1650V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

1N3892

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

JAN1N6623US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

880V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 880V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RA357-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 35A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

100pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

RA

Lieferantengerätepaket

RA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kürzlich verkauft

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

LTST-C190TBKT

LTST-C190TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR CHIP SMD

GTL2002DC,125

GTL2002DC,125

NXP

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

AD820BRZ

AD820BRZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

KSZ8081RNBCA-TR

KSZ8081RNBCA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

LTC3774EUHE#PBF

LTC3774EUHE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 36QFN

P6KE16A

P6KE16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 13.6V 22.5V DO15

PIC18F1230-I/SO

PIC18F1230-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

TCS3200D-TR

TCS3200D-TR

ams

IC COLOR SENSOR LIGHT-FREQ 8SOIC

ISL29023IROZ-T7

ISL29023IROZ-T7

Renesas Electronics America Inc.

SENSOR OPT 540NM AMBIENT 6ODFN

PZTA92

PZTA92

ON Semiconductor

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223