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SE20DBHM3/I

SE20DBHM3/I

Nur als Referenz

Teilenummer SE20DBHM3/I
PNEDA Teilenummer SE20DBHM3-I
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3.9A TO263AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SE20DBHM3/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSE20DBHM3/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SE20DBHM3/I, SE20DBHM3/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 112,11 KB)
PDFSE20DJHM3/I Datenblatt Cover
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SE20DBHM3/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)3.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 20A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.150pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
LieferantengerätepaketTO-263AC (SMPD)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

8.8ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

28pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402 (1005 Metric)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

JAN1N6623US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

880V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 880V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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1N4935GHB0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANTXV1N6629

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

880V

Current - Average Rectified (Io)

1.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 880V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

AS4PJ-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2.4A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

962mV @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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