SFAF1003GHC0G
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| Teilenummer | SFAF1003GHC0G |
| PNEDA Teilenummer | SFAF1003GHC0G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 10A ITO220AC |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.796 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SFAF1003GHC0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SFAF1003GHC0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SFAF1003GHC0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | 170pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220AC |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ADD-A-PAK (2) Lieferantengerätepaket ADD-A-PAK® Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1.1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 1.1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 28pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall POWERDI®123 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 123 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 10000V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 10V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 10000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
