SFAS802GHMNG
Nur als Referenz
| Teilenummer | SFAS802GHMNG |
| PNEDA Teilenummer | SFAS802GHMNG |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.010 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SFAS802GHMNG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SFAS802GHMNG |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SFAS802GHMNG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket SMPC4.0 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.76V @ 18.8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 155°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
