SG2013J-883B
Nur als Referenz
| Teilenummer | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 28.074 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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SG2013J-883B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SG2013J-883B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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SG2013J-883B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | 7 NPN Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 16-CDIP |
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