SGF80N60UFTU
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| Teilenummer | SGF80N60UFTU |
| PNEDA Teilenummer | SGF80N60UFTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 110W TO3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SGF80N60UFTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGF80N60UFTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGF80N60UFTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 220A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 110W |
| Schaltenergie | 570µJ (on), 590µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 175nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/90ns |
| Testbedingung | 300V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 310A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 140A Leistung - max 1630W Schaltenergie 4.3mJ (on), 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 330nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/145ns Testbedingung 450V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXYK) |
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