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SGL40N150TU

SGL40N150TU

Nur als Referenz

Teilenummer SGL40N150TU
PNEDA Teilenummer SGL40N150TU
Beschreibung IGBT 1500V 40A 200W TO264
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGL40N150TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGL40N150TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGL40N150TU, SGL40N150TU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 352,18 KB)
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SGL40N150TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.7V @ 15V, 40A
Leistung - max200W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 11A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

410µJ (on), 2.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/463ns

Testbedingung

480V, 11A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGP30H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

350µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGP20N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

25µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7.7ns/87ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

FGY120T65SPD-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

378A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 120A

Leistung - max

882W

Schaltenergie

6.8µJ (on), 3.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/102ns

Testbedingung

400V, 120A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

123ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

PowerTO-247-3

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