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SGW25N120FKSA1

SGW25N120FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGW25N120FKSA1
PNEDA Teilenummer SGW25N120FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 46A 313W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.416
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SGW25N120FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGW25N120FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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SGW25N120FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)46A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)84A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 25A
Leistung - max313W
Schaltenergie3.7mJ
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/730ns
Testbedingung800V, 25A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IGW75N60H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/265ns

Testbedingung

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

RJH60D1DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

100µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/42ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

APT70GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

961W

Schaltenergie

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

544nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/278ns

Testbedingung

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGA20S120M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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