SH8KA4TB
Nur als Referenz
| Teilenummer | SH8KA4TB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SH8KA4TB | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 54 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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SH8KA4TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8KA4TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8KA4TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.4mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 15V |
| Leistung - max | 3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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