Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1058X-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI1058X-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 20V SC89
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 11 - Mai 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1058X-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1058X-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI1058X-T1-GE3, SI1058X-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 107,69 KB)
PDFSI1058X-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1058X-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1058X-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1058X-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1058X-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1058X-T1-GE3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1058X-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI1058X-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3
  • SI1058X-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI1058X-T1-GE3 Stock

  • SI1058X-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI1058X-T1-GE3
  • SI1058X-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1058X-T1-GE3 Price
  • SI1058X-T1-GE3 Distributor

SI1058X-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.9nC @ 5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)236mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-89-6
Paket / FallSOT-563, SOT-666

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFB4019PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FDBL0260N100

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9265pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HPSOF

Paket / Fall

8-PowerSFN

IRF9530PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

BXL4001

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220(LS)

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2464pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MAX8556ETE+T

MAX8556ETE+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

24LC01BT-I/OT

24LC01BT-I/OT

Microchip Technology

IC EEPROM 1K I2C 400KHZ SOT23-5

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

PCA8574AD,518

PCA8574AD,518

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC

MP5505AGL-Z

MP5505AGL-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BOOST 7V 4A

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

LT3469ETS8#TRPBF

LT3469ETS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC AMP DVR W/REG 1.3MHZ TSOT23-8

W25X20CLSNIG

W25X20CLSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

PIC32MX340F512H-80I/PT

PIC32MX340F512H-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP

MCP6042-I/SN

MCP6042-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

MP101301

MP101301

ZF Electronics

SENSOR HALL DIGITAL WIRE LEADS