SI1539DDL-T1-GE3
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| Teilenummer | SI1539DDL-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1539DDL-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI1539DDL-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1539DDL-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI1539DDL-T1-GE3, SI1539DDL-T1-GE3 Datenblatt
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SI1539DDL-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 700mA (Tc), 460mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V, 21pF @ 15V |
| Leistung - max | 340mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Leistung - max 694W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
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