SI1972DH-T1-E3
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| Teilenummer | SI1972DH-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1972DH-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1972DH-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1972DH-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI1972DH-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 24V Leistung - max 2.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Leistung - max 3W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 372A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 186A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 560nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 0.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 (1.6x1.6) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V Leistung - max 940mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
