SI3552DV-T1-GE3
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| Teilenummer | SI3552DV-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI3552DV-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 78.024 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI3552DV-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI3552DV-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI3552DV-T1-GE3, SI3552DV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3552DV-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.15W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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