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SI4565ADY-T1-E3

SI4565ADY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4565ADY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4565ADY-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.264
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SI4565ADY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4565ADY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4565ADY-T1-E3, SI4565ADY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 145,51 KB)
PDFSI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI4565ADY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A, 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 20V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

U-WLB1818-4

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

246pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM100H45STG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

148A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

544nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 1000V

Leistung - max

937W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A, 41A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2375pF @ 13V

Leistung - max

2.1W, 2.3W

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