SI4816DY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4816DY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4816DY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.298 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI4816DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4816DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4816DY-T1-GE3, SI4816DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4816DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | LITTLE FOOT® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.3A, 7.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1W, 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-µDFN (2x2) |
