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SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5504DC-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI5504DC-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 2.826
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SI5504DC-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5504DC-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5504DC-T1-E3, SI5504DC-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 120,21 KB)
PDFSI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI5504DC-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

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SI5504DC-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NVMFD5873NLWFT1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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SI1016X-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

485mA, 370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

ALD114913SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.26V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

APTM120A20SG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

600nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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