SI5515DC-T1-GE3
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| Teilenummer | SI5515DC-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5515DC-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5515DC-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5515DC-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI5515DC-T1-GE3, SI5515DC-T1-GE3 Datenblatt
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SI5515DC-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.4A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
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