SI5517DU-T1-GE3
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| Teilenummer | SI5517DU-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5517DU-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.058 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI5517DU-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5517DU-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI5517DU-T1-GE3, SI5517DU-T1-GE3 Datenblatt
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SI5517DU-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Leistung - max | 8.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
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