SI5905DC-T1-E3
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| Teilenummer | SI5905DC-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5905DC-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.258 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI5905DC-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5905DC-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI5905DC-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 30V Leistung - max 1.4W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 6V Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-EMH |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-DFN-EP (2x5) |
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Leistung - max 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
